SJ 50033.94-1995 半导体分立器件3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范
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ID： |
08E44EAF07834AF39BEBBF9F5F32E500 |
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0.67 |
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11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/94-95,半导体分立哭件,3DG143型NPN硅高频低噪声,小功率晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG143 NPN silicon,high-frequency Low-noise Low-power transistor,1996R6J4 发布1996-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管 “ 50033/94-95,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG143 NPN silicon,high-freguency Low-noise Low-power transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DG143型NPN硅高频低噪声小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84,GB 7581—87,GJB 33—85,GJB 128—86,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.I详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996-10-01 实施,1,SJ 50033/94-95,3.2.］ 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或其它金属。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。引出端材料,和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用NPN硅外延平面型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的E4-04A型及如下规定,见图1:,1、3发射极,2 .基极,4.集电极,图1外形尺寸,2,SJ 50033/94-95,mm,E4 一 04A,符号 、寸,min nom max,A 2.67,ん0.78 1.30,by 0.48 0.78,C 0.05 0.15,初7.02,初I 5.6,Hx 14.0,Hy 14.0,3.3最大额定值和主要电特性,3丒3丒1最大额定值,型号,prl t)ot,Ta = 25 匕,(W),p2),上tot,Tc = 25 匕,(W),VcBO,(V),VcEO,(V),Vebo,(V),Ic,(mA),丁理和り,（V）,3DG143 0.1 0,3 12 3 20 —65 ~ + 200,注:1）Ta>25匕,按0.57mW/匕的速率线性降额,2）八>25匕,按L7mW/匕的速率线性降额,3.3.2主要电特性（Ta = 25匕）,参 数,**,型 号,极限值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,无FE1 %e = 6V,/(3= 〇 , 2mA,3DG143A-C,. .一,20,无FE2 Vce = 6V,Ic = 1mA,40,んFE3 VCe = 6V,Ic = 2mA,40 200,九FE4 %e = 6V,Jc = 5mA,30,3,SJ 50033/94-95,续表,参 数,型 号,极H艮值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,%f = 6V,「f = 2mA,尸 1GHz,4,Cobo(pF) Vcb = 6V,/f = 0,于二 1MHz,0 7,Vbfim)( V) /c = 5 mA,1mA,0 95,Vu(V) I q =5mA,- 1mA,0.25,Gp(dB) Vcb=6V,Ze ~ 2mA,f=lGHz、,&o = 5on,13,F(dB) Vvb 二 6V、,& = 2mA,于=1GHz,ムb = 500,3DG143A 3,3DG143B 2,3DG143C 1 5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,4,SJ 50033/94-95,筛 选,测试和试验,(见 GJB 33 表 2),7.中间参数测试【CBO1和るFE3,8.功率老化见4 3 1,9.最后测试,按本规范表1的A2分组;,△，cboi =初始值的 100 % 或 15nA,取其较大者ルんFE3= ±20%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,Ta = 25±3 匕,V cb = 8 V,Ptot = 100mW,注:不允许器件上加散热器或强迫风冷,4.4 质量一致性检,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。……
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